音頻文字發布在公眾號“北京讀天下”，《價值創造與商業模式》在公眾號微店有優惠。每週新書聽友群微信號：yinmingshu002。 ASML 步進光刻機中的對準系統一直是關鍵競爭優勢，它的LOGO就是掩膜和晶圓的對準標志。除了中心十字線，還有四個區用於接收光信號，通過調整四個區的光線強度實現對準，類似於激光導彈的對準原理。競爭對手的步進光刻機必須在每次曝光前測量晶圓位置，這種技術稱為裸片對準技術。要耗費一定的時間，降低了吞吐量。而ASML使用單次測量，用機器確認晶圓位置，然后開始“飛盲”運動，直到整個晶圓被曝光，這種全局對準技術可以顯著提高吞吐量。全局對準技術基於所謂的雙對準技術，在晶圓的掩膜上使用兩個參考標記。不僅可以使用雙對準技術自動校正錯誤角度，還可以抵消從掩模到鏡頭距離變化時出現的放大倍率誤差。雙對準是 PAS 2500 開始的一個基本研發功能，範登布林克的貢獻最大。到了PAS 5500，套刻精度已經可以達到85納米。問題在於，有技術資源並不代表有市場。因為芯片廠商在做出采購決策時需要考慮多方面的因素。相對於資源本身，資源配置和資源的運用更加重要，這就需要管理者的貢獻。